新工艺实现多层单晶硅电路垂直集成|摩尔|晶体管

财联社6月2日电，美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校研究团队攻破了三维芯片制造领域“最后堡垒”，他们开发出一种在严格热预算限制下，实现多层高性能单晶硅电路垂直集成的工艺。这项突破解决了因晶体管微缩趋近物理极限而面临的芯片性能提升难题，为延续摩尔定律提供了新方向。相关研究成果发表于最新一期《自然》杂志。